Baza Firm - 664.pl
|
|
Efekt samo centrowania uzyskuje się stosując odpowiednio proces implantacji jonów. Implantacja jonów polega na wprowadzeniu do obszaru półprzewodnika domieszek w postaci jonów — przyspieszonych w polu elektrycznym — o energii od kilkudziesięciu do kilkuset kiloelektronowoltów. Metoda implantacji jonów zapewnia dokładną kontrolę procesu domieszkowania, co pozwala na wykonywanie płytkich i ściśle określonych obszarów dyfuzyjnych. Implantację można prowadzić przez odpowiednio cienką warstwę tlenku. Przy wytwarzaniu tranzystora można wykorzystać obie metody domieszkowania: dyfuzję i implantację. W początkowym etapie, przed wykonaniem bramki, wykonuje się częściową dyfuzję obszarów źródła i drenu. Pozostałe części tych obszarów wykonuje się metodą implantacji dopiero po wykonaniu bramki i doprowadzeń do obszarów źródła i drenu. Obszary te w trakcie implantacji spełniają rolę maski nieprzenikliwej dla jonów. Granice obszarów typu p wytworzonych metodą implantacji są niemal idealnie zgodne z obrysem bramki. Implantacja jonów, poza tym że pozwala zwiększyć szybkość przełączania tranzystorów, umożliwia wytwarzanie tranzystorów o kontrolowanej i powtarzalnej wartości napięcia progowego. |
|---|---|
| słowa kluczowe | Efekt samo centrowania uzyskuje się stosując odpowiednio proces implantacji jonów. Implantacja jonów polega na wprowadzeniu do obszaru półprzewodnika domieszek w postaci jonów — pr |
| kategorie |
Przemysł i produkcja >> Przemysł pozostały Marketing i reklama >> Reklama outdorowa Biznes >> Artykuły biurowe |
| data wpisu | 2014-12-18 |
| ważny do | 2024-12-15 [ wpis wygasł przedłuż ] |
| url | http://www.tabliczki.ppp.pl |
